詳細(xì)摘要： 可用于各類(lèi)二極管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三極管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二極管的浪涌...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-IFSM/ITSM所在地：西安市更新時(shí)間：2024-09-12 在線(xiàn)留言
陜西博微電通科技有限責(zé)任公司
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<ul id="qqie6"></ul> 陜西博微電通科技有限責(zé)任公司
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經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家
商鋪產(chǎn)品：19條
所在地區(qū)：陜西西安市
聯(lián)系人：博微電通 （銷(xiāo)售總監(jiān)/產(chǎn)品經(jīng)理）
詳細(xì)摘要： 可用于各類(lèi)二極管（Diode）以及可控硅（SCR）的正向浪涌電流（IFSM）試驗(yàn)，包括三極管（Triode）、MOSFTE、IGBT等全控器件的內(nèi)置二極管的浪涌...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-IFSM/ITSM所在地：西安市更新時(shí)間：2024-09-12 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： BW-AH-5520半導(dǎo)體高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)采用特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，保證待測(cè)元器件區(qū)域溫度高穩(wěn)定度及均勻度。采用雙高精度 RTD 溫度傳感器進(jìn)行精密控溫及過(guò)溫保...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-AH-5520所在地：西安市更新時(shí)間：2024-03-12 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 適用于各種封裝的 IGBT/MOS 模塊高溫柵偏試驗(yàn)試驗(yàn)線(xiàn)路及試驗(yàn)方法滿(mǎn)足 MIL-STD-750 Method 1037 及 AEC Q101 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求8...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-HTGB-C16所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-22 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 適用于各種封裝類(lèi)型的二極管、三極管、SCR、MOSFET（支持耗盡型產(chǎn)品）、IGBT 單管、IGBT 模塊、IPM 模塊、橋堆等進(jìn)行高溫高濕反偏試驗(yàn)試驗(yàn)線(xiàn)路及試...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-H3TRB-C16所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-13 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 適用于各種封裝的IGBT、Si/SiC/GaN、MOSFET、BTJ進(jìn)行K系數(shù)測(cè)試、穩(wěn)態(tài)熱阻測(cè)試及功率循環(huán)試驗(yàn)試驗(yàn)線(xiàn)路及試驗(yàn)方法滿(mǎn)足 MIL-STD-750 M...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-IOL-X16M所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-13 在線(xiàn)留言
詳細(xì)摘要： 適用于 SI/SIC/GaN 芯片的各種封裝類(lèi)型的二極管、三極管、SCR、MOSFET、IGBT、IPM、橋堆等半導(dǎo)體器件進(jìn)行 HAST 試驗(yàn)。符合JESD22...
產(chǎn)品型號(hào)：BW-HAST-H4所在地：西安市更新時(shí)間：2023-12-13 在線(xiàn)留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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